شبیه‌سازی رشد لایه‌های نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی

شبیه سازی رشد لایه های نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی

در این مقاله در چارچوب مدل انباشت بالستیک به شبیه سازی رشد لایه های نازک در حضور دو نوع ذره فعال (a) و ناخالصی(c) می پردازیم و نمای مقیاسی رشد  و نمای مقیاسی زبری  را به دست می آوریم و آن ها را با کلاس جهانی ارائه شده توسط کاردار-پاریزی-ژانگ (kpz) مقایسه می کنیم. نتایج به دست آمده وجود یک احتمال بحرانی  را نشان می دهند، به گونه ای که به ازای مقادیر کوچکتر از ، مدل انباشت مورد نظر ما در کلاس جها...

بررسی تغییر در شکل و اندازه ذرات نانورنگدانه قرمز مالاییت با ناخالصی کرم با تغییر میزان ناخالصی

در این پژوهش رنگدانه مالاییت با ناخالصی کرم (CaSn(1-x)CrxSiO5) به عنوان رنگدانه سرامیکی قرمز به روش سرامیکی در دمای 1250 درجه سانتی‌گراد ساخته شد. چهار نمونه با نسبت‌های مولی ناخالصی کرم به میزان 0.005، 0.0075، 0.01 و 0.02 ساخته شده و با استفاده از آسیاب سیاره‌ای درون حلال 2- اتیل‌هگزیل‌استئارات پخش و همگن گردید. سپس به روش چاپ تخت بر روی سرامیک تحت شرایط تولید صنعتی چاپ شد. رنگدانه‌های پخش‌شده...

Degenerate Four Wave Mixing in Photonic Crystal Fibers

In this study, Four Wave Mixing (FWM) characteristics in photonic crystal fibers are investigated. The effect of channel spacing, phase mismatching, and fiber length on FWM efficiency have been studied. The variation of idler frequency which obtained by this technique with pumping and signal wavelengths has been discussed. The effect of fiber dispersion has been taken into account; we obtain th...

تاثیر ناخالصی Cu بر ساختار اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک سولفید کادمیم

باز توزیع ناخالصی آرسنیک (As) در رشد گرمایی و سرعت رشد اکسید سیلیسیم

 In this article, we investigate the redistribution of implanted As+ ion and effect of it on the rate of oxide growth during steam oxidation of Si wafers at 900oC. Our results show that a highly enriched, thin layer of Arsenic forms at the interface between the oxide and the underlying Si. Also, the oxidation rate was found to increase depending on the depth distribution and dose of the implant...

مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم

مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH<...